国产光刻技术世界一流？中科院研究院辟谣：真实水平仅180nm

国产光刻技术世界一流？中科院研究院辟谣：真实水平仅180nm

对于中国智能手机制造业来说，十余年间始终有两道门槛无法逾越，其一为移动操作系统，直到今天诸多国产品牌依旧使用的是谷歌旗下的安卓系统；其二为手机处理器，虽然华为自研海思麒麟芯片，但仅仅限于设计层面，在制造工艺方面则依赖于台积电等芯片代工企业；小米同样推出了自研松果澎湃处理器，但第二代技术受阻至今仍未现身，即便推出同样依赖于台积电等代工企业。

今天，我们所要说的就是手机芯片制造的问题。既然是手机芯片制造，那么就不能不说光刻机，作为制造芯片的核心装备，其采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。

2020年7月，中科院发表了名为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文，由于这一论文发表时期恰好是华为麒麟芯片遭遇美国打压后的不久，因此短时间内就引起了各界的热议，毕竟“中国芯”的缺失早已经是压在诸多国人心上的一块大石头。然而很快网络上就出现了一些“沸腾体”的报道，不少媒体与网友甚至直言“中国不用EUV光刻机，便能制造出5nm芯片”。那么事实真的如此吗？

近日，《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的通讯作者刘前接受了《财经》记者采访，并就论文内容进行了相关解答。刘前明确表示，论文介绍的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜制作上，并非是极紫外光光刻技术，部分媒体混淆了两者的概念。就像我们前面所说的那样，高端光刻机全世界只有少数几家公司能够制造。而我国目前生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。

当然，中科院所攻克的“超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列”技术，对于我国高端光掩膜市场的突破，依然具有重要意义毕竟该技术具有完全自主知识产权，并且有成本更低的优点。

那么我国当下的光刻技术究竟处于一个什么水平呢？据半导体资深人士向AI财经社透露，我国目前可以实现180nm制程，而且还是在试用阶段。国内最大的光刻机设备制造商还有一台没有量产的90nm制程光刻机，采用的光源技术还是外企20年前的水平。由此可见，想要真正达到EUV光刻机水平，还远不是现在能达到的。

换句话说，国产光刻技术绝非世界一流的5nm，真实水平仅有180nm，想要真正达到EUV光刻机水平，还远不是现在能达到的。我们需要十年，甚至二十年，或许更长的时间来追赶国际领先水平。

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